硅单晶中碳、氧含量的测定 低温傅立叶变换红外光谱法 (GB/T 35306-2023) 国家标准《硅单晶中碳、氧含量的测定 低温傅立叶变换红外光谱法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口上报，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准化管理委员会。
起草单位：青海芯测科技有限公司、隆基绿能科技股份有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、青海黄河上游水电开发有限责任公司新能源分公司、洛阳中硅高科技有限公司、布鲁克（北京）科技有限公司、亚洲硅业（青海）股份有限公司、宜昌南玻硅材料有限公司、陕西有色天宏瑞科硅材料有限责任公司、新疆新特新能材料检测中心有限公司、弘元新材料（包头）有限公司、高景太阳能股份有限公司。
起草人：薛心禄 、秦榕 、李素青 、杨晓青 、邓浩 、岳玉芳 、李明珍 、赵雄 、张园园 、赵跃 、雷浩东 、蔡延国 、陈卫国 、路盛刚 、徐岩 、张遵 、邱艳梅 、李向宇 、杨阳 、徐志群 、汪奇 。
此标准描述了采用低温傅立叶变换红外光谱法测定硅单晶中代位碳、间隙氧含量的方法。
此标准适用于室温电阻率大于1Ω·cm的n型硅单晶和室温电阻率大于3Ω·cm的p型硅单晶中代位碳、间隙氧含量的测定，测定范围（以原子数计）为2.5×1014cm-31.5×1017cm-3。