硅单晶中III、V族杂质含量的测定 低温傅立叶变换红外光谱法 (GB/T 24581-2022) 国家标准《硅单晶中III、V族杂质含量的测定 低温傅立叶变换红外光谱法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口上报，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准化管理委员会。
起草单位：乐山市产品质量监督检验所、青海芯测科技有限公司、江苏中能硅业科技发展有限公司、亚洲硅业（青海）股份有限公司、新特能源股份有限公司、有研半导体硅材料股份公司、四川永祥股份有限公司、陕西有色天宏瑞科硅材料有限责任公司、江苏鑫华半导体材料科技有限公司、洛阳中硅高科技有限公司、新疆协鑫新能源材料科技有限公司、国标（北京）检验认证有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、宜昌南玻硅材料有限公司、江苏秦烯新材料有限公司、义乌力迈新材料有限公司。
起草人：梁洪 、赵晓斌 、万涛 、薛心禄 、魏东亮 、王彬 、邱艳梅 、杨素心 、李素青 、李朋飞 、赵培芝 、王永涛 、魏强 、楚东旭 、周延江 、刘文明 、刘红 、何建军 、皮坤林 。
此标准描述了用低温傅立叶变换红外光谱法测定硅单晶中Ⅲ、V族杂质含量的方法。
此标准适用于硅单晶中的Ⅲ、V族杂质铝（A1）、锑（Sb）、砷（As）、硼（B）、镓（Ga）、铟（In）和磷（P）含量的测定，各元素的测定范围（以原子数计）为1.0×1010cm-3 ~ 4.1×1014cm-3。