碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定 二次离子质谱法 (GB/T 41153-2021) 国家标准《碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定 二次离子质谱法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口上报，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准化管理委员会。
起草单位：中国电子科技集团公司第四十六研究所、有色金属技术经济研究院有限责任公司、山东天岳先进科技股份有限公司。
起草人：马农农 、何友琴 、陈潇 、刘立娜 、何烜坤 、李素青 、张红岩 。
此标准规定了碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的二次离子质谱测试方法。
此标准适用于碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的定量分析，测定范围为硼含量不小于5X1013cm-3、铝含量不小于5X1013cm-3氮含量不小于5X1015cm-3，元素浓度（原子个数百分比）不大于1%。
注1：碳化硅单晶中待测元素的含量以每立方厘米中的原子数计。
注2:碳化硅单晶中钒杂质含量的测定可参照此标准进行，测定范围为钒含量不小于1x1013cm-3c。