碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法 (GB/T 30867-2014) 国家标准《碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口上报，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准化管理委员会。
起草单位：中国电子科技集团公司第四十六研究所、中国电子技术标准化研究院。
起草人：丁丽 、周智慧 、郝建民 、蔺娴等 。
此标准规定了碳化硅单晶片厚度及总厚度变化（TTV）的测试方法，包括接触式和非接触式两种方式。 此标准适用于直径不小于30mm、厚度为0.13mm～1mm的碳化硅单晶片。