导电碳化硅单晶片电阻率测量方法—非接触涡流法 (T/IAWBS 011-2019) 团体名称为中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟
主要起草人：张岩、赵然、李龙远、刘素娟、赵子强、郑红军、陆敏、刘春俊、王文军、刘祎晨、林雪如、陈鹏、韩超。
起草单位：中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、中科钢研节能科技有限公司,北京天科合达半导体股份有限公司、中国科学院物理研究所、北京三平泰克科技有限责任公司,国宏中宇科技发展有限公司。
范围：本标准规定了用非接触涡流法测定导电碳化硅单晶片电阻率的方法。本标准适用于200μm到1000μm厚的碳化硅单晶片。本标准适用于电阻率0.005Ω·cm到200Ω· cm和表面电阻0.032 Ω/□到3000Ω/□的范围。
内容简要 碳化硅作为第三代半导体，在耐高温、耐高压、耐大电流等领域有独特的功能和作用，其技术发展的成熟度越来越高，从原材料到功能模块，已经形成了完整的产业链。碳化硅单晶电阻率的测试，是衡…