硅单晶中碳、氧含量的测定 低温傅立叶变换红外光谱法 (GB/T 35306-2017) 国家标准《硅单晶中碳、氧含量的测定 低温傅立叶变换红外光谱法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口上报，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准化管理委员会。已被标准 GB/T 35306-2023（全部代替）
起草单位：昆明冶研新材料股份有限公司、江苏中能硅业科技发展有限公司、宜昌南玻硅材料有限公司、新特能源股份有限公司、亚洲硅业（青海）有限公司、青海黄河上游水电开发有限责任公司新能源分公司、陕西天宏硅材料有限责任公司。
起草人：张云晖 、韩小月 、毛智慧 、赵建为 、刘晓霞 、王桃霞 、田洪先 、刘明军 、银波 、刘国霞 、蔡延国 、秦榕 、童孟 、钱津旺 、杨红燕 。
此标准规定了低温傅立叶变换红外光谱法测定硅单晶中代位碳、间隙氧杂质含量的方法。
此标准适用于室温电阻率大于0.1？cm的N型硅单晶和室温电阻率大于0.5？cm的P型硅单晶中代位碳、间隙氧杂质含量的测定。
此标准测定碳、氧含量的有效范围从5X1014atoms？cm-3(0.01ppma）到硅中代位碳和间隙氧的最大固溶度。