低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中III、V族杂质含量的测试方法 (GB/T 24581-2009) 国家标准《低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中III、V族杂质含量的测试方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口上报及执行，主管部门为国家标准化管理委员会。已被标准 GB/T 24581-2022（全部代替）
起草单位：四川新光硅业科技有限责任公司。
起草人：梁洪 、过惠芬 、吴道荣 。
此标准适用于检测硅单品中的电活性元素硼(B)、磷(P)、砷(As)、铝(Al)、锑(Sb)和镓(Ga)的含量。此标准所适用的硅中每一种电活性元素杂质或掺杂剂浓度范围为(0.01×10～5.0×1O)a。 每种杂质或掺杂剂的浓度可由比耳定律得到，并给出了对每个元素的校准因子。