硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法 (GB/T 14141-2009) 国家标准《硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口上报及执行，主管部门为国家标准化管理委员会。
起草单位：宁波立立电子股份有限公司、南京国盛电子有限公司、信息产业部专用材料质量监督检验中心。
起草人：李慎重 、许峰 、刘培东 、谌攀 、马林宝 、何秀坤 。
u3000u3000此标准规定了用直排四探针测量硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的方法。 u3000u3000此标准适用于测量直径大于15.9 mm的由外延、扩散、离子注入到硅片表面上或表面下形成的薄层的平均薄层电阻。硅片基体导电类型与被测薄层相反。适用于测量厚度不小于0.2 μm的薄层，方块电阻的测量范围为10Ω～5000 Ω。该方法也可适用于更高或更低阻值方块电阻的测量，但其测量精确度尚未评估。