硅外延层晶体完整性检查方法 腐蚀法 (GB/T 14142-1993) 国家标准《硅外延层晶体完整性检查方法 腐蚀法》由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口上报及执行,主管部门为国家标准化管理委员会。已被标准 GB/T 14142-2017(全部代替)
起草单位:峨眉半导体材料研究所。
此标准规定了用化学腐蚀显示,并用金相显微镜检验硅外延层晶体缺陷的方法此标准适用于硅外延层中堆垛层错和位错密度测量。硅外延层厚度应大于2μm测量范围为010000cm。
硅外延层晶体完整性检查方法 腐蚀法 (GB/T 14142-1993) 国家标准《硅外延层晶体完整性检查方法 腐蚀法》由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口上报及执行,主管部门为国家标准化管理委员会。已被标准 GB/T 14142-2017(全部代替)
起草单位:峨眉半导体材料研究所。
此标准规定了用化学腐蚀显示,并用金相显微镜检验硅外延层晶体缺陷的方法此标准适用于硅外延层中堆垛层错和位错密度测量。硅外延层厚度应大于2μm测量范围为010000cm。
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