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T/IAWBS 003-2017 碳化硅外延层载流子浓度测定_汞探针电容-电压法

标准号
T/IAWBS 003-2017
下载格式
PDF
发布日期
2017-12-20
实施日期
2017-12-31
标准类别
团体标准
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简介

碳化硅外延层载流子浓度测定_汞探针电容-电压法 (T/IAWBS 003-2017) 团体名称为中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟

主要起草人:冯淦、陈志霞、钮应喜、张新河、李赟、陆敏、彭同华、刘振洲

起草单位:中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、瀚天天成电子科技(厦门)有限公司、全球能源互联网研究院、东莞天域半导体科技有限公司、北京天科合达半导体股份有限公司、中国电子科技集团公司第五十五研究所

内容简要 本标准规定了碳化硅(4H-SiC)外延层载流子浓度的测定方法─汞探针电容-电压法。 本标准适用于单层同质碳化硅外延层载流子浓度的测量,要求测量的碳化硅外延层厚度必须大于测试偏压…

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