硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法 (GB/T 1557-2018) 国家标准《硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口上报，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准化管理委员会。
起草单位：新特能源股份有限公司、有研半导体材料有限公司、亚洲硅业（青海）有限公司、宜昌南玻硅材料有限公司、隆基绿能科技股份有限公司、内蒙古盾安光伏科技有限公司、峨嵋半导体材料研究所、北京合能阳光新能源技术有限公司。
起草人：银波 、夏进京 、邱艳梅 、刘国霞 、柴欢 、赵晶晶 、刘文明 、姚利忠 、王海礼 、邓浩 、高明 、郑连基 、陈赫 、石宇 、杨旭 、肖宗杰 。
此标准规定了采用红外光谱法测定硅单晶晶体中间隙氧含量的方法。
此标准适用于室温电阻率大于0.1cm的N型硅单晶和室温电阻率大于0.5cm的P型硅单晶中间隙氧含量的测定。以常温红外设备测试时，氧含量（原子数）测试范围从1X1016cm-3到硅中间隙氧的最大固溶度；以低温红外设备测试时，氧含量（原子数）的测试范围从0.5X1015cm-3到硅中间隙氧的最大固溶度。