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GB/T 34900-2017 微机电系统(MEMS)技术 基于光学干涉的MEMS微结构残余应变测量方法

标准号
GB/T 34900-2017
下载格式
PDF
发布日期
2017-11-01
实施日期
2018-05-01
标准类别
国家标准
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简介

微机电系统(MEMS)技术 基于光学干涉的MEMS微结构残余应变测量方法 (GB/T 34900-2017) 国家标准《微机电系统(MEMS)技术 基于光学干涉的MEMS微结构残余应变测量方法》由TC336(全国微机电技术标准化技术委员会)归口上报及执行,主管部门为国家标准化管理委员会。

起草单位:天津大学、中机生产力促进中心、国家仪器仪表元器件质量监督检验中心、南京理工大学、中国电子科技集团公司第十三研究所。

起草人:郭彤 、胡晓东 、李海斌 、于振毅 、裘安萍 、程红兵 、崔波 、朱悦 。

此标准规定了基于光学干涉显微镜获取的微双端固支梁结构表面形貌进行残余应变测量的方法。

此标准适用于表面反射率不低于4%且使用光学干涉显微镜能够获取表面形貌的微双端固支梁结构。

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