硅外延层晶体完整性检验方法 腐蚀法 (GB/T 14142-2017) 国家标准《硅外延层晶体完整性检验方法 腐蚀法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口上报，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准化管理委员会。
起草单位：南京国盛电子有研公司、有研半导体材料有限公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司。
起草人：马林宝 、骆红 、杨帆 、刘小青 、陈赫 、张海英 。
此标准规定了用化学腐蚀显示，并用金相显微镜检验硅外延层晶体完整性的方法。
此标准适用于硅外延层中堆垛层错和位错密度的检验，硅外延层厚度大于2m，缺陷密度的测试范围0~10000cm-2。