重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法 (GB/T 14847-2010) 国家标准《重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口上报，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准化管理委员会。
起草单位：宁波立立电子股份有限公司、信息产业部专用材料质量监督检验中心。
起草人：李慎重 、何良恩 、许峰 、刘培东 、何秀坤 。
此标准规定重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法。此标准适用于衬底在23℃电阻串小于0.02Ω?cm和外延层在23℃电阻率大于0.1Ω?cm且外延层厚度大于2μm的n型和p型硅外延层厚度的测量；在降低精度情况下，该方法原则上也适用于测试0.5μm～2μm之间的n型和p型外延层厚度。