CMOS集成电路抗辐射加固设计要求 (GB/T 41033-2021) 国家标准《CMOS集成电路抗辐射加固设计要求》由TC425（全国宇航技术及其应用标准化技术委员会）归口上报及执行，主管部门为国家标准化管理委员会。
起草单位：中国航天科技集团有限公司第九研究院第七七一研究所。
起草人：刘智 、葛梅 、谢成民 、王斌 、岳红菊 、于洪波 、姚思远 、李海松 、耿增建 、胡巧玉 。
此标准规定了CMOS集成电路抗辐射（总剂量、单粒子）加固设计的流程、设计要求、建模仿真、验证试验要求。
此标准适用于基于体硅/SOI CMOS工艺的数字集成电路、模拟集成电路和数模混合集成电路的抗辐射（总剂量、单粒子）加固设计。