硅外延层载流子浓度的测试 电容-电压法 (GB/T 14146-2021) 国家标准《硅外延层载流子浓度的测试 电容-电压法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口上报，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准化管理委员会。
起草单位：南京国盛电子有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、中电晶华（天津）半导体材料有限公司、有研半导体材料有限公司、河北普兴电子科技股份有限公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司、瑟米莱伯贸易（上海）有限公司、无锡华润上华科技有限公司、义乌力迈新材料有限公司。
起草人：骆红 、潘文宾 、杨素心 、赵扬 、赵而敬 、张佳磊 、李慎重 、黄黎 、严琴 、黄宇程 、皮坤林 。
此标准规定了电容-电压法测试硅外延层载流子浓度的方法，包括汞探针电容-电压法和无接触电容-电压法。
此标准适用于同质硅外延层载流子浓度的测试，测试范围为4X101310cm-3~81016cm-3，其中硅外延层的厚度大于测试偏压下耗尽层深度的两倍。硅单晶抛光片和同质碳化硅外延片载流子浓度的测试也可以参照此标准进行，其中无接触电容-电压法不适用于同质碳化硅外延片载流子浓度的测试。