半导体集成电路 第三代双倍数据速率同步动态随机存储器 （DDR3 SDRAM）测试方法 (GB/T 36474-2018) 国家标准《半导体集成电路 第三代双倍数据速率同步动态随机存储器 （DDR3 SDRAM）测试方法》由TC599（全国集成电路标准化技术委员会）归口上报及执行，主管部门为工业和信息化部（电子）。
起草单位：中国电子技术标准化研究院、西安紫光国芯半导体有限公司、上海高性能集成电路设计中心、武汉芯动科技有限公司、成都华微电子科技有限公司。
起草人：孔宪伟 、殷梦迪 、尹萍 、巨鹏锦 、高专 、刘建明 。
此标准规定了半导体集成电路第三代双倍数据速率同步动态随机存储器（DDR3SDRAM）功能验证和电参数测试的方法。
此标准适用于半导体集成电路领域中第三代双倍数据速率同步动态随机存储器（DDR3SDRAM)功能验证和电参数测试。