硅中代位碳含量的红外吸收测试方法 (GB/T 1558-2023) 国家标准《硅中代位碳含量的红外吸收测试方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口上报，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准化管理委员会。
起草单位：中国电子科技集团公司第四十六研究所、青海芯测科技有限公司、天津中环领先材料技术有限公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司、山东有研半导体材料有限公司、浙江海纳半导体股份有限公司、布鲁克（北京）科技有限公司、中国计量科学研究院、有色金属技术经济研究院有限责任公司、开化县检验检测研究院、四川永祥新能源有限公司、亚洲硅业（青海）股份有限公司、新疆新特新能材料检测中心有限公司、陕西有色天宏瑞科硅材料有限责任公司、中电晶华（天津）半导体材料有限公司、浙江众晶电子有限公司、义乌力迈新材料有限公司、湖南三安半导体有限责任公司。
起草人：李静 、何烜坤 、刘立娜 、李素青 、索开南 、马春喜 、薛心禄 、张雪囡 、张海英 、孙韫哲 、王彦君 、沈益军 、赵跃 、王军锋 、李兰兰 、邹剑秋 、徐顺波 、李寿琴 、张宝顺 、刘国霞 、徐岩 、李明达 、陆勇 、皮坤林 、杜伟华 。
此标准描述了硅中代位碳原子含量的红外吸收测试方法。
此标准适用于电阻率大于3Ω·cm的P型硅单晶片及电阻率大于1Ω·cm的n型硅单晶片中代位碳原子含量的测试（室温下测试范围：5X1015cm-3至硅中碳原子的最大固溶度；温度低于80K时测试范围：不小于5X1014cm-3）。