硅中代位碳原子含量 红外吸收测量方法 (GB/T 1558-2009) 国家标准《硅中代位碳原子含量 红外吸收测量方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口上报，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准化管理委员会。已被标准 GB/T 1558-2023（全部代替）
起草单位：信息产业部专用材料质量监督检验中心、中国电子科技集团公司第四十六研究所、峨嵋半导体材料厂。
起草人：何秀坤 、李静 、段曙光 、梁洪 。
u3000u3000此标准规定了硅中代位碳原子含量的红外吸收测量方法。 此标准适用于电阻率高于3Ω·cm的p型硅片及电阻率高于1Ω·cm的n型硅片中代位碳原子含量的测定，对于精密度要求不高的硅片，可以测量电阻率大于0.1Ω·cm的硅片中代位碳原子含量。由于碳也可能存在于间隙位置，因而本方法不能测定总碳含量。