碳化硅外延片表面缺陷的测试 激光散射法 (GB/T 42902-2023) 国家标准《碳化硅外延片表面缺陷的测试 激光散射法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口上报，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准化管理委员会。
起草单位：安徽长飞先进半导体有限公司、广东天域半导体股份有限公司、安徽芯乐半导体有限公司、南京国盛电子有限公司、浙江芯科半导体有限公司、河北普兴电子科技股份有限公司、中国科学院半导体研究所。
起草人：钮应喜 、袁松 、张会娟 、刘敏 、仇光寅 、李京波 、彭铁坤 、袁肇耿 、杨龙 、闫果果 。
此标准描述了激光散射法测试碳化硅外延片表面缺陷的方法。
此标准适用于4H-SiC外延片的表面缺陷测试。