碳化硅外延层厚度的测试 红外反射法 (GB/T 42905-2023) 国家标准《碳化硅外延层厚度的测试 红外反射法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口上报，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准化管理委员会。
起草单位：安徽长飞先进半导体有限公司、安徽芯乐半导体有限公司、河北普兴电子科技股份有限公司、广东天域半导体股份有限公司、南京国盛电子有限公司、浙江芯科半导体有限公司、布鲁克（北京）科技有限公司、中国科学院半导体研究所、有色金属技术经济研究院有限责任公司。
起草人：钮应喜 、刘敏 、袁松 、赵丽霞 、丁雄杰 、吴会旺 、仇光寅 、李素青 、李京波 、张会娟 、赵跃 、彭铁坤 、雷浩东 、闫果果 。
此标准描述了采用红外反射法测试碳化硅外延层厚度的方法。
此标准适用于n型掺杂浓度大于1×1018cm-3的碳化硅衬底上同质掺杂浓度小于1×1016cm-3的同质碳化硅外延层厚度的测试，测试范围为3μm~200μm。