硅和锗体内少数载流子寿命的测定 光电导衰减法 (GB/T 1553-2023) 国家标准《硅和锗体内少数载流子寿命的测定 光电导衰减法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口上报，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准化管理委员会。
起草单位：有研半导体硅材料股份公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、广州昆德半导体测试技术有限公司、青海芯测科技有限公司、陕西有色天宏瑞科硅材料有限责任公司、浙江海纳半导体股份有限公司、洛阳中硅高科技有限公司、江苏中能硅业科技发展有限公司、宜昌南玻硅材料有限公司、江苏鑫华半导体科技股份有限公司、亚洲硅业（青海）股份有限公司、云南临沧鑫圆锗业股份有限公司、云南驰宏国际锗业有限公司。
起草人：孙燕 、宁永铎 、李素青 、朱晓彤 、贺东江 、王昕 、薛心禄 、徐岩 、潘金平 、严大洲 、王彬 、蔡云鹏 、田新 、赵培芝 、冉胜国 、韩成福 、普世坤 、蔡丽艳 、高源 、赵晶 、崔丁方 。
此标准规定了非本征硅单晶和锗单晶体内载流子复合过程中非平衡少数载流子寿命的光电导衰减测试方法。
此标准适用于非本征硅单晶和锗单晶中非平衡少数载流子寿命的测试。直流光电导衰减-脉冲光法可测试具有特殊尺寸的长方体或圆柱体样品，测试硅单晶的最短寿命值为50μs，测试锗单晶最短寿命值为10μs。高频光电导衰减法可测试棒状或块状样品，测试硅单晶和锗单晶的最短寿命值为10μs。