半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法 (GB/T 6616-2009) 国家标准《半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口上报，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准化管理委员会。已被标准 GB/T 6616-2023（全部代替）
起草单位：万向硅峰电子股份有限公司。
起草人：楼春兰 、朱兴萍 、方强 、汪新平 、戴文仙 。
u3000u3000此标准规定了用非接触涡流测定半导体硅片电阻率和薄膜薄层电阻的方法。 u3000u3000此标准适用于测量直径或边长大于25mm、厚度为0.1mm～1mm的硅单晶切割片、研磨片和抛光片（简称硅片）的电阻率及硅薄膜的薄层电阻。测量薄膜薄层电阻时，衬底的有效薄层电阻至少应为薄膜薄层电阻的1000倍。