SiC晶片的残余应力检测方法 (T/IAWBS 008-2019) 团体名称为中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟
主要起草人：苏飞、闫方亮、陆敏、郑红军、陈鹏、林雪如、刘祎晨、韩超
起草单位：中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、北京聚睿众邦科技有限公司、北京航空航天大学、北京三平泰克科技有限责任公司
范围：本标准规定了SiC晶片内部残余应力的光学无损检测方法。本标准适用于晶片厚度适当，对波长400-700nm的可见光范围内测试光的透过率在30%以上的SiC晶片。
内容简要 近年来，以碳化硅(SiC)为代表的第三代半导体材料引发全球瞩目。由于其具有禁带宽、击穿电场强度高、饱和电子迁移率高、热导率大、介电常数小、抗辐射能力强等优点，可广泛应用于新能源…