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T/ZSA 38-2020 SiC晶片的残余应力检测方法

标准号
T/ZSA 38-2020
下载格式
PDF
发布日期
2020-12-17
实施日期
2020-12-18
标准类别
团体标准
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简介

SiC晶片的残余应力检测方法 (T/ZSA 38-2020) 团体名称为中关村标准化协会

主要起草人:苏飞、闫方亮、彭同华、佘宗静、刘春俊、赵宁、陆敏、郑红军、陈鹏、林雪如、刘祎晨。

起草单位:中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、北京聚睿众邦科技有限公司、北京航空航天大学、北京天科合达半导体股份有限公司、北京三平泰克科技有限责任公司。

范围:本文件规定了SiC晶片内部残余应力的光学无损检测方法。本文件适用于晶片厚度适当,对波长400-700nm的可见光范围内测试光的透过率在30%以上的SiC晶片。

内容简要 本文件规定了SiC晶片内部残余应力的光学无损检测方法。本文件适用于晶片厚度适当,对波长400-700nm的可见光范围内测试光的透过率在30%以上的SiC晶片。

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