碳化硅单晶 (T/IAWBS 001-2021) 团体名称为中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟
主要起草人：佘宗静、王大军、彭同华、王波、刘春俊、杨建
起草单位：中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、北京天科合达半导体股份有限公司。
范围：本文件规定了4H及6H碳化硅单晶的必要的相关性术语和定义、产品分类、技术要求、检测方法、检测规则以及标志、包装、运输、贮存等。本文件适用于物理气相传输法制备的4H及6H碳化硅单晶。产品主要用于制作半导体照明、电力电子器件、射频微波器件及LED发光器件的外延衬底。
内容简要 碳化硅作为重要的宽禁带半导体材料，与硅和砷化镓等传统半导体相比，在热导率、击穿场强、饱和电子漂移速率、键合能和化学稳定性等方面具有明显的优势，是制作高温、高频、高压、高功率以及…