半绝缘碳化硅单晶的电阻率非接触测试方法 (GB/T 42271-2022) 国家标准《半绝缘碳化硅单晶的电阻率非接触测试方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口上报，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准化管理委员会。
起草单位：北京天科合达半导体股份有限公司、中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、安徽长飞先进半导体有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、中国电子科技集团公司第四十六研究所。
起草人：彭同华 、佘宗静 、王大军 、张贺 、李素青 、王波 、杨建 、袁松 、刘立娜 。
此标准描述了半绝缘碳化硅单晶的电阻率非接触测试方法。
此标准适用于测量电阻率范围为1×105Ω·cm~1×1012Ω·cm的半绝缘碳化硅单晶片。