半绝缘碳化硅单晶片电阻率非接触测量方法 (T/IAWBS 013-2019) 团体名称为中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟
主要起草人：侯晓蕊、王英民、李斌、魏汝省、王光耀、王程、马康夫、刘燕燕、田牧、任慧珍、徐伟、毛开礼、潘磊、陆敏、郑红军、刘祎晨。
起草单位：中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、中国电子科技集团公司第二研究所、北京世纪金光半导体有限公司、中国电子科技集团公司第五十五研究所、中国电子科技集团公司第四十六研究所。
范围：本标准规定了半绝缘碳化硅电阻率非接触测量方法。本标准适用于电阻率测量范围: 105Ωcm-1012Ωcm；样品直径：50.8mm-200mm；样品厚度范围：250μm—5000μm的衬底。
内容简要 SiC是继第一代以Si为代表的半导体材料和以砷化镓为代表的第二代半导体材料之后的第三代宽禁带半导体材料，由于自身的物理性能的优势，碳化硅作为衬底材料在极端物理条件下具有得天独厚…