半导体器件 机械和气候试验方法 第17部分：中子辐照 (GB/T 4937.17-2018) 国家标准《半导体器件 机械和气候试验方法 第17部分：中子辐照》由TC78（全国半导体器件标准化技术委员会）归口上报及执行，主管部门为工业和信息化部（电子）。
起草单位：中国电子科技集团公司第十三研究所、西北核技术研究所、中国科学院新疆理化技术研究所。
起草人：席善斌 、彭浩 、陈伟 、林东生 、杨善潮 、金晓明 、郭旗 、陆妩 、崔波 、陈海蓉 。
GB/T 4937的本部分是为了测定半导体器件在中子环境中性能退化的敏感性。本部分适用于集成电路和半导体分立器件。中子辐照主要针对军事或空间相关的应用，是一种破坏性试验。
试验目的如下：
a）检测和测量半导体器件关键参数的退化与中子注量的关系；
b）确定规定的半导体器件参数在接受规定水平的中子注量辐射之后是否在规定的极限值之内 （见第4章）。