掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程 (GB/T 13389-2014) 国家标准《掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口上报及执行，主管部门为国家标准化管理委员会。
起草单位：有研半导体材料股份有限公司、四川新光硅业科技有限责任公司、中国计量科学研究院、浙江省硅材料质量检验中心、杭州海纳半导体有限公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司、西安隆基硅材料股份有限公司。
起草人：孙燕 、梁洪 、高英 、楼春兰 、张静 、王飞尧等 。
此标准规定了掺硼、掺磷、掺砷硅单晶电阻率与掺杂荆浓度之间的换算关系,该换算关系也适用于掺锑硅单晶,还可扩展至硅中激活能与硼、磷相似的其他掺杂剂。此标准适用于掺硼浓度10^14cm-3～1×1020cm-3,掺磷浓度3×10^13cm-3～1×10^20cm-3,掺砷浓度10^19cm-3～6×10^20cm-3。对掺硼、掺磷的硅单晶渗杂剂浓度可扩展到10^12cm-3。此标准也可用于在23℃下从硅单晶电阻率到载流子浓度的换算,但不包括对砷掺杂剂的载流子浓度换算,或任何其他载流子浓度的换算。