椭圆偏振仪测量硅表面上二氧化硅薄层厚度的方法 (GB/T 31225-2014) 国家标准《椭圆偏振仪测量硅表面上二氧化硅薄层厚度的方法》由TC279（全国纳米技术标准化技术委员会）归口上报及执行，主管部门为中国科学院。
起草单位：上海交通大学、纳米技术及应用国家工程研究中心。
起草人：金承钰 、李威 、梁齐 、路庆华 、何丹农 、张冰 。
此标准给出了使用连续变波长、变角度的光谱型椭圆偏振仪测量硅表面上二氧化硅层厚度的方法。此标准适用于测试硅基底上厚度均匀、各向同性、10nm~1000nm厚的二氧化硅薄层厚度，其他对测试波长处不透光的基底上单层介电薄膜样品厚度测量可以参考此方法。