高分辩率X射线衍射测量GaAs衬底生长的AlGaAs中Al成分的试验方法 (GB/T 24576-2009) 国家标准《高分辩率X射线衍射测量GaAs衬底生长的AlGaAs中Al成分的试验方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口上报及执行，主管部门为国家标准化管理委员会。
起草单位：信息产业部专用材料质量监督检验中心、中国电子科技集团公司第四十六研究所。
起草人：章安辉 、黄庆涛 、何秀坤 。
此标准规定了用高分辨X 射线衍射测量GaAs衬底上AlGaAs外延层中Al含量的试验方法。 本方法适用于在未掺杂GaAs衬底方向上生长的AlGaAs外延层中Al含量的测定,使用 本方法测量Al元素含量时,AlGaAs外延层厚度应大于300nm。