硅片径向电阻率变化的测量方法 (GB/T 11073-2007) 国家标准《硅片径向电阻率变化的测量方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口上报，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准化管理委员会。
起草单位：峨嵋山半导体材料厂。
此标准规定了用直排四探针法测量硅单晶片径向电阻率变化的方法。此标准适用于厚度小于探针平均间距、直径大于15 mm、电阻率为1X10-3Ω·cm～3×103 Ω·cm硅单晶圆片径向电阻率变化的测量。