硅片氧沉淀特性的测定 间隙氧含量减少法 (GB/T 19444-2004) 国家标准《硅片氧沉淀特性的测定 间隙氧含量减少法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口上报，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准化管理委员会。
起草单位：洛阳单晶硅有限责任公司。
此标准规定了由测量硅片间隙氧含量的减少量来检验硅片氧沉淀特性的方法原理、取样规则、热处理程序、试验步骤、数据计算等内容。此标准用于定性比较两批或多批集成电路用硅片间隙氧沉淀特性。