GB/T 11297.6-1989 锑化铟单晶位错蚀坑的腐蚀显示及测量方法

锑化铟单晶位错蚀坑的腐蚀显示及测量方法 (GB/T 11297.6-1989) 国家标准《锑化铟单晶位错蚀坑的腐蚀显示及测量方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口上报及执行，主管部门为国家标准化管理委员会。

起草单位：电子十一所。

本方法采用硝酸-氢氟酸腐蚀剂腐蚀，适用于锑化铟原始晶片（111）铟面a位错的显示和测定。测量面偏离（111）面应不大于3°。