锑化铟单晶电阻率及霍耳系数的测试方法 (GB/T 11297.7-1989) 国家标准《锑化铟单晶电阻率及霍耳系数的测试方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口上报及执行，主管部门为国家标准化管理委员会。
起草单位：航空航天部8358研究所。
本方法适用于长方体和薄片锑化铟单晶样品的电阻率和霍耳系数的测量。本方法所采用的样品是从锑化铟单晶中切割制备的，在特定位置上施加电极接触，用直流方法测量样品的电阻率和霍耳系数，而后计算该样品的载流子浓度和载流子迁移率。本方法适用于电阻率10～10Ω·cm的锑化铟单晶样品。