0.13μm IC产品MM模式ESD失效机理

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简介

0.13μm IC产品MM模式ESD失效机理结果表明:0. 13 μm 硅工艺 IC 产品芯片 ESD 失效可发生在任一输入/输出 (I/O)管脚与地/电源之间;失效模式主要为金属熔融、介质击穿和 MOS 管过流烧毁;失效原因为静电压 …

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