第三代半导体 微纳米金属烧结技术 术语 (T/CASAS 017-2021) 团体名称为北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
主要起草人：张国旗，叶怀宇、刘旭、张靖、张敬国、赵朝晖、梁明会、唐宏浩、刘洋、谢斌、王可、周斌、刘盼、樊嘉杰、张凯、王来利、田天成、赵璐冰、高伟
起草单位：北京半导体照明科技促进中心、南方科技大学、有研粉末新材料股份有限公司、北京康普锡威科技有限公司、上海贺利氏工业技术材料有限公司、国家纳米科学中心、深圳基本半导体有限公司、哈尔滨理工大学、香港应用科技研究院、工业和信息化部电子第五研究所、中国科学院微电子研究所、复旦大学、广东工业大学、西安交通大学、重庆大学、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟、BOSCHMAN TECHNOLOGY
范围：本文件规定了第三代半导体器件封装用微纳米金属烧结技术相关术语的定义，具体包括一般术语、烧结原理相关术语、烧结材料相关术语、烧结工艺相关术语、性能测试与可靠性术语。本文件适用于第三代半导体高温工作芯片与基板的封装，应用于光电子器件、功率器件、射频器件等；适用于器件基板与底板、底板与热沉的连接连接工艺的研发、生产制造及相关领域的从业者。
内容简要 第三代半导体材料是指带隙宽度明显大于第一代半导体（如：硅、锗）、第二代半导体（如：砷化镓、磷化铟）的宽禁带半导体材料，目前产业化以SiC、GaN为主。它具备禁带宽度大、击穿电场…