微纳米金属烧结体电阻率测试方法 四探针法 (T/CASAS 019-2021) 团体名称为北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
主要起草人：张国旗，叶怀宇、刘旭、张靖、张敬国、赵朝晖、梁明会、刘洋、王可、唐宏浩、周斌、樊嘉杰、刘盼、张凯、王来利、田天成、赵璐冰、高伟
起草单位：北京半导体照明科技促进中心、南方科技大学、有研粉末新材料股份有限公司、北京康普锡威科技有限公司、上海贺利氏工业技术材料有限公司、国家纳米科学中心、广州四探针科技有限公司、哈尔滨理工大学、工业和信息化部电子第五研究所、中国科学院微电子研究所、复旦大学、深圳基本半导体有限公司、广东工业大学、西安交通大学、重庆大学、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟、BOSCHMAN TECHNOLOGY
范围：本文件规定了第三代半导体器件封装用微纳米金属烧结体的电阻率测试方法。本文件适用于第三代半导体器件封装用微纳米金属烧结体的电阻率测试评价；此烧结体不包含烧结件的被连接件（如芯片）、连接基体。本方法适用于直径大于探针间距10倍、厚度小于探针间距4倍的微纳米金属烧结体圆形样品体积电阻率的测试，不适用于薄膜样品方块电阻的测试。
内容简要 金属互连材料在半导体封装工业中占据关键地位。传统封装采用焊料合金互连，但其析出的金属间化合物导致互连层服役温度较低且脆性较高。作为最适合于第三代半导体模块封装的界面连接技术之一…