半导体器件10KeV低能X射线总剂量辐照试验方法 (SJ/T 11586-2016) 主管部门为工业和信息化部。
起草单位：工业和信息化部电子第五研究所
起草人：罗宏伟、何玉娟、恩云飞 等
SJ/T 11586-2016 半导体器件10KeV低能X射线总剂量辐照试验方法
标准号
SJ/T 11586-2016
下载格式
PDF
发布日期
2016-01-15
实施日期
2016-06-01
标准类别
行业标准
半导体器件10KeV低能X射线总剂量辐照试验方法 (SJ/T 11586-2016) 主管部门为工业和信息化部。
起草单位：工业和信息化部电子第五研究所
起草人：罗宏伟、何玉娟、恩云飞 等
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