当前位置:首页 > 标准 > 国家标准 > 内容详情

GB/T 44517-2024 微机电系统(MEMS)技术 MEMS膜残余应力的晶圆曲率和悬臂梁挠度试验方法

标准号
GB/T 44517-2024
下载格式
PDF
发布日期
2024-09-29
实施日期
2025-04-01
标准类别
国家标准
免费下载
简介

微机电系统(MEMS)技术 MEMS膜残余应力的晶圆曲率和悬臂梁挠度试验方法 (GB/T 44517-2024) 国家标准《微机电系统(MEMS)技术 MEMS膜残余应力的晶圆曲率和悬臂梁挠度试验方法》由TC336(全国微机电技术标准化技术委员会)归口上报及执行,主管部门为国家标准委。

起草单位:合肥美的电冰箱有限公司、中机生产力促进中心有限公司、绍兴中芯集成电路制造股份有限公司、中国科学院空天信息创新研究院、苏州大学、国网智能电网研究院有限公司、苏州慧闻纳米科技有限公司、无锡华润上华科技有限公司、无锡芯感智半导体有限公司、微纳感知(合肥)技术有限公司、深圳市美思先端电子有限公司、宁波科联电子有限公司、美的集团股份有限公司、东南大学、工业和信息化部电子第五研究所、深圳市速腾聚创科技有限公司、华东电子工程研究所(中国电子科技集团公司第三十八研究所)、北京晨晶电子有限公司、南京高华科技股份有限公司、武汉高德红外股份有限公司、安徽北方微电子研究院集团有限公司、广东润宇传感器股份有限公司、无锡韦感半导体有限公司、明石创新(烟台)微纳传感技术研究院有限公司。

起草人:马卓标 、李根梓 、曹诗亮 、谢波 、余庆 、孙立宁 、王军波 、梁先锋 、孙旭辉 、胡永刚 、杨绍松 、许磊 、宏宇 、王雄伟 、钱峰 、周再发 、董显山 、杨旸 、张森 、张红旗 、汤一 、兰之康 、黄晟 、张胜兵 、李海全 、万蔡辛 、高峰 、陈林 。

该标准描述了测量厚度范围为0.01 μm~10 μm的MEMS膜残余应力的方法,包含晶圆曲率法和悬臂梁挠度法。 该标准适用于沉积在已知杨氏模量和泊松比等力学性质衬底上的膜。

声明:资源收集自网络无法详细核验或存在错误,仅为个人学习参考使用,如侵犯您的权益,请联系我们处理。

不能下载?报告错误