碳化硅晶体材料缺陷图谱 (GB/T 43612-2023) 国家标准《碳化硅晶体材料缺陷图谱》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口上报，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准化管理委员会。
起草单位：广东天域半导体股份有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟、山东天岳先进科技股份有限公司、河北同光半导体股份有限公司、北京大学东莞光电研究院、山西烁科晶体有限公司、河北普兴电子科技股份有限公司、北京天科合达半导体股份有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所、中国科学院半导体研究所、湖州东尼半导体科技有限公司、中国电子科技集团公司第四十六研究所、中电化合物半导体有限公司、南京国盛电子有限公司、哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司、新美光（苏州）半导体科技有限公司、江苏卓远半导体有限公司。
起草人：丁雄杰 、刘薇 、韩景瑞 、贺东江 、李素青 、丁晓民 、张红 、李焕婷 、张红岩 、杨昆 、李斌 、尹浩田 、高伟 、路亚娟 、佘宗静 、王阳 、钮应喜 、晏阳 、姚康 、金向军 、吴殿瑞 、李国鹏 、张新峰 、赵丽丽 、张胜涛 、夏秋良 、李国平 。
此标准规定了导电型4H碳化硅（4H-SiC)晶体材料缺陷的形貌特征，产生原因和缺陷图谱。
此标准适用于半导体行业碳化硅（晶锭、衬底片、外延片及后续工艺）的研发、生产及检测分析等环节。