半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第1部分：缺陷分类 (GB/T 43493.1-2023) 国家标准《半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第1部分：缺陷分类》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口上报，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准化管理委员会。
起草单位：河北半导体研究所（中国电子科技集团公司第十三研究所）、山东天岳先进科技股份有限公司、之江实验室、浙江大学、中国电子科技集团公司第四十六研究所、中国科学院半导体研究所、中电化合物半导体有限公司、广东天域半导体股份有限公司、ＴＣＬ环鑫半导体（天津）有限公司、山西烁科晶体有限公司、河北普兴电子科技股份有限公司、深圳创智芯联科技股份有限公司、深圳市晶扬电子有限公司、广州弘高科技股份有限公司、常州臻晶半导体有限公司、深圳超盈智能科技有限公司、深圳市星汉激光科技股份有限公司、中微半导体（上海）有限公司。
起草人：房玉龙 、芦伟立 、李佳 、张冉冉 、张红岩 、王健 、李丽霞 、殷源 、李振廷 、张建锋 、徐晨 、杨青 、刘立娜 、钮应喜 、金向军 、丁雄杰 、刘薇 、杨玉聪 、魏汝省 、吴会旺 、姚玉 、高东兴 、王辉 、陆敏 、夏俊杰 、周少丰 、郭世平 。
此标准给出了4H-SiC(碳化硅）同质外延片中的缺陷分类。缺陷是按品体学结构进行分类，并通过明场光学显微术（OM)、光致发光（PL）和X射线形貌（XRT))图像等无损检测方法进行识别。