碳化硅抛光片表面质量和微管密度的测试 共焦点微分干涉法 (GB/T 43313-2023) 国家标准《碳化硅抛光片表面质量和微管密度的测试 共焦点微分干涉法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口上报，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准化管理委员会。
起草单位：中国电子科技集团公司第四十六研究所、山东天岳先进科技股份有限公司、常州臻晶半导体有限公司、湖州东尼半导体科技有限公司、厦门坤锦电子科技有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所、广东天域半导体股份有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、中国科学院半导体研究所、ＴＣＬ环鑫半导体（天津）有限公司、浙江东尼电子股份有限公司。
起草人：姚康 、刘立娜 、何烜坤 、李素青 、马春喜 、高飞 、张红岩 、陆敏 、郑红军 、房玉龙 、芦伟立 、丁雄杰 、刘薇 、李嘉炜 、晏阳 、钮应喜 、杨玉聪 、黄树福 。
此标准规定了4H碳化硅抛光片表面质it和微管密度的共焦点微分干涉测试方法。
此标准适用于直径为50.8mm、76.2mm、100mm、150mm、200mm，厚度范围为300μm~1000μm碳化硅抛光片的表面质量和微管密度的测试。