多晶硅表面金属杂质含量测定 酸浸取-电感耦合等离子体质谱法 (GB/T 24582-2023) 国家标准《多晶硅表面金属杂质含量测定 酸浸取-电感耦合等离子体质谱法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口上报，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准化管理委员会。
起草单位：亚洲硅业（青海）股份有限公司、内蒙古通威高纯晶硅有限公司、宜昌南玻硅材料有限公司、青海芯测科技有限公司、江苏中能硅业科技发展有限公司、新疆大全新能源股份有限公司、陕西有色天宏瑞科硅材料有限责任公司、洛阳中硅高科技有限公司、新疆新特新能材料检测中心有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、江苏鑫华半导体科技股份有限公司、新疆协鑫新能源材料科技有限公司。
起草人：尹东林 、郑连基 、刘军 、魏东亮 、蔡延国 、李素青 、侯海波 、田洪先 、刘文明 、薛心禄 、王彬 、于生海 、徐岩 、曹岩德 、姜士兵 、邱艳梅 、赵培芝 、万首正 、赵娟龙 、申梅桂 、刘海月 、王春明 。
此标准描述了用酸从多晶硅表面浸取金属杂质，并用电感耦合等离子质谱仪定量检测多晶硅表面金属杂质含量的方法。
此标准适用于太阳能级多晶硅和电子级多晶硅表面碱金属、碱土金属和第一系列过渡元素如钠、钾、钙、铁、镍、铜、锌、铝等杂质元素含量的测定，测定范围为0.01ng/g。