半导体器件 微机电器件 晶圆间键合强度测量 (GB/T 41853-2022) 国家标准《半导体器件 微机电器件 晶圆间键合强度测量》由TC336（全国微机电技术标准化技术委员会）归口上报及执行，主管部门为国家标准化管理委员会。
起草单位：中国电子科技集团公司第十三研究所、河北美泰电子科技有限公司、中机生产力促进中心有限公司、华东光电集成器件研究所、杭州左蓝微电子技术有限公司、深圳市美思先端电子有限公司、明石创新（烟台）微纳传感技术研究院有限公司、绍兴中芯集成电路制造股份有限公司。
起草人：李倩 、王伟强 、顾枫 、李根梓 、翟晓飞 、何凯旋 、田松杰 、刘建生 、崔波 、武斌 、汪蔚 、高峰 、王冲 。
此标准规定了晶圆键合后键合强度的测量方法，适用于硅-硅共熔键合、硅-玻璃阳极键合等多种晶圆键合方式，以及MEMS工艺、组装流程中相关结构尺寸的键合强度的评估。
此标准适用于从十微米到几毫米厚的晶圆间的键合强度测量。