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GB/T 36613-2018 发光二极管芯片点测方法

标准号
GB/T 36613-2018
下载格式
PDF
发布日期
2018-09-17
实施日期
2019-01-01
标准类别
国家标准
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简介

发光二极管芯片点测方法 (GB/T 36613-2018) 国家标准《发光二极管芯片点测方法》由339-1(工业和信息化部(电子))归口上报及执行,主管部门为工业和信息化部(电子)。

起草单位:三安光电股份有限公司、厦门市三安光电科技有限公司、中国电子技术标准化研究院、广州赛西标准检测研究院有限公司。

起草人:蔡伟智 、梁奋 、刘秀娟 、李国煌 、吕艳 、金威 、邵晓娟 、周钢 、时军朋 。

此标准规定了发光二极管芯片(以下简称“芯片”)光参数、直流电参数以及静电放电敏感性的点测条件和点测方法。

此标准适用于批量生产的可见光发光二极管正装芯片和薄膜芯片的检测方法。紫外光、红外光发光二极管芯片以及外延片的点测也可参照使用。

此标准不适用于发光二极管芯片的热参数和交流特性测试。

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