低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度（EPD）的测量方法 (GB/T 34481-2017) 国家标准《低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度（EPD）的测量方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口上报及执行，主管部门为国家标准化管理委员会。
起草单位：云南中科鑫圆晶体材料有限公司、云南临沧鑫圆锗业股份有限公司、中科院半导体研究所。
起草人：惠峰 、普世坤 、董汝昆 。
此标准规定了低位错密度锗单晶片的腐蚀坑密度（EPD）的测量方法。
此标准适用于测试位错密度小于1000个／cm2、直径为75mm~150mm的圆形锗单晶片的位错腐蚀坑密度。