多晶硅 痕量元素化学分析 辉光放电质谱法 (GB/T 33236-2016) 国家标准《多晶硅 痕量元素化学分析 辉光放电质谱法》由TC38（全国微束分析标准化技术委员会）归口上报，TC38SC2（全国微束分析标准化技术委员会表面化学分析分会）执行，主管部门为国家标准化管理委员会。
起草单位：中国科学院上海硅酸盐研究所。
起草人：卓尚军 、钱荣 、董疆丽 、申如香 、盛成 、高捷 、郑文平 。
此标准规定了采用辉光放电质谱（GD-MS）法测量多晶硅中杂质元素的测试方法。 此标准适用于多晶硅材料中除氢和惰性气体元素以外的其他杂质元素含量的测定，测量范围是本方法的检出限至0.1%（质量分数），检出限根据所用仪器及测量条件确定。通过合适的标准样品校正，也可以测量质量分数大于0.1％的杂质元素含量。单晶硅材料中痕量杂质元素也可参照此标准测量。