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GB/T 13539.4-2016 低压熔断器 第4部分:半导体设备保护用熔断体的补充要求

标准号
GB/T 13539.4-2016
下载格式
PDF
发布日期
2016-04-25
实施日期
2016-11-01
标准类别
国家标准
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简介

低压熔断器 第4部分:半导体设备保护用熔断体的补充要求 (GB/T 13539.4-2016) 国家标准《低压熔断器 第4部分:半导体设备保护用熔断体的补充要求》由TC340(全国熔断器标准化技术委员会)归口上报,TC340SC2(全国熔断器标准化技术委员会低压熔断器分会)执行,主管部门为中国电器工业协会。

起草单位:上海电器科学研究院、上海电器陶瓷厂有限公司、人民电器集团有限公司、好利来(中国)电子科技股份有限公司、西安西整熔断器厂、美尔森电气保护系统(上海)有限公司、浙江正泰电器股份有限公司、浙江西熔电气有限公司、上海西门子线路保护系统有限公司、温州三实电器有限公司、浙江新力熔断器有限公司、乐清市沪熔特种熔断器有限公司、西安中熔电气有限公司、库柏西安熔断器有限公司、上海电器设备检测所。

起草人:吴庆云 、张丽丽 、林海鸥 、李全安 、赖文辉 、刘双库 、贾炜 、李传上 、李振飞 、周纲 、黄旭雄 、方径林 、郑爱国 、石晓光 、张懿 、易颖 。

本部分的补充要求适用于安装在具有半导体装置的设备上的熔断体,该熔断体适用于标称电压不超过交流1000v或直流1500v的电路如适用,还可用于更高的标称电压的电路。注1 此类熔断体通常称为“半导体熔断体”。注2:在多数情况下,组合设备的一部分可用作熔断器底座由于设备的多样性,难以作出一般的规定组合设备是否适合作熔断器底座,宜由用户与制造厂协商。但是,如果采用独立的熔断器底座或熔断器支持件,他们应符合IEC60269-1:2006的相关要求。注3:IEC60269-6专用于太阳能光伏系统的保护。本部分的目的是确定半导体熔断体的特性,从而在相同尺寸的前提下,可以用具有相同特性的其他型式的熔断体替换半导体熔断体。因此,本部分中特别规定了:a)熔断体的下列特性:1)额定值;2)正常工作时的温升;3)耗散功率4)时间一电流特性;5)分断能力;6)截断电流特性和特性;7)电弧电压特性。b)验证熔断体特性的型式试验c)熔断体标志;d)应提供的技术数据(见附录BB)。

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